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先進(jìn)封裝的幾種形式一般來說，具備Bump、RDL、Wafer 和 TSV 四項(xiàng)基礎(chǔ)要素中任意一種即可稱為先進(jìn)封裝。
Macom專注提升GaN-on-SiC產(chǎn)能Macom通過收購Wolfspeed射頻業(yè)務(wù)，拓展其在國防、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用場景。
美國放開H20芯片出口中國限制CoWoS嚴(yán)格來說屬于2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)導(dǎo)電型碳化硅，在切割時劃片刀摩擦可能產(chǎn)生局部放電。
碳化硅襯底尺寸格局根據(jù)電學(xué)性能差異區(qū)分，碳化硅襯底分為導(dǎo)電型襯底和半絕緣型襯底。
小米YU7大賣，帶動國產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈升級隨著小米旗下車型的大批量交付，將助力國產(chǎn)碳化硅供應(yīng)鏈進(jìn)一步完善升級。
碳化硅將迎來快速增長SiC襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、SiC應(yīng)用的基石。
晶圓劃切過程中怎么測高？目前測量刀片磨損有兩種方式：接觸測高和非接觸測高。
劃片機(jī)參數(shù)設(shè)置，劃片刀刀高設(shè)置通過不斷的修改切割參數(shù)及工藝設(shè)定，與劃片刀達(dá)到一個穩(wěn)定的平衡，可以有效解決崩邊問題的發(fā)生。
減薄對后續(xù)晶圓劃切的影響隨著工藝創(chuàng)新，“先劃片后減薄”（DBG）與“減薄劃片”（DBT）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。